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【奥鹏】-[大连理工大学]大工19秋《模拟电子技术》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
第1题,在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
正确答案:
第2题,温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
正确答案:
第3题,反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
正确答案:
第4题,在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无法确定
正确答案:
第5题,关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:
第6题,当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
正确答案:
第7题,在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
正确答案:
第8题,在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
正确答案:
第9题,引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A、输入电阻太小
B、静态工作点偏低
C、静态工作点偏高
D、输出电阻太小
正确答案:
第10题,已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A、发射极
B、集电极
C、基极
D、无法确定
正确答案:
第11题,与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
T、对
F、错
正确答案:T
第12题,对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
T、对
F、错
正确答案:T
第13题,一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
T、对
F、错
正确答案:T
第14题,当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
T、对
F、错
正确答案:F
第15题,温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
T、对
F、错
正确答案:F
第16题,直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
T、对
F、错
正确答案:T
第17题,半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
T、对
F、错
正确答案:T
第18题,利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
T、对
F、错
正确答案:T
第19题,二极管是非线性器件。
T、对
F、错
正确答案:T
第20题,二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
T、对
F、错
正确答案:F
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